l1 (PDF)




File information


Author: RePack by Diakov

This PDF 1.6 document has been generated by Adobe Acrobat Pro DC 15.17.20053, and has been sent on pdf-archive.com on 11/09/2016 at 20:01, from IP address 94.19.x.x. The current document download page has been viewed 374 times.
File size: 1.8 MB (20 pages).
Privacy: public file
















File preview


Общие сведения об интегральных схемах

полупроводниковых приборов с середины пятидесятых
годов.

До начала шестидесятых годов двадцатого века
полупроводниковые

приборы

использовались

в

Групповой

метод

предполагал создание на

полупроводниковой

пластине

(подложке) одновременно нескольких

(или

аппаратуре

достаточно большого числа) приборов с последующим

исполнении,

разрезанием подложки и помещением каждого прибора в

т.е. каждый прибор помещался в отдельный корпус.

отдельный корпус. Планарная технология позволяла

Для соединения компонентов аппаратуры между собой

создавать приборы (прежде всего транзисторы), все

использовался печатный или навесной монтаж. При

выводы которых находились в одной плоскости, что

этом непрерывное усложнение аппаратуры неизбежно

значительно упрощало соединение выводов приборов

радиоэлектронной
в дискретном конструктивном

к увеличению

приводило

ее

между собой

с

помощью

металлических

полосок,

из-за

напыляемых на поверхность подложки. Основная идея

увеличения числа компонентов и соединений между ними.

создания интегральных схем заключалась в том, чтобы в

Решение возникающих проблем стало возможным с

корпус помещался не один прибор, а достаточно большое

появлением интегральных схем (ИС).

число

габаритов и массы, снижению ее надежности

В

основе

лежали групповой

создания

интегральных

схем

метод изготовления

полупроводниковых приборов и планарная технология,
использовавшиеся при создании дискретных

приборов,

соединенных

в

единую схему,

реализующую определенное устройство.
Использование интегральных схем позволило не
только уменьшить габариты и массу радиоэлектронной
аппаратуры, но и

1

значительно снизить

стоимость

изготовления поскольку

каждая

ее

технологическая

операция использовалась для создания большого числа
приборов.

того, количество

Кроме

контактов

в

интегральных схемах значительно меньше, чем в схемах
аналогичной

сложности

на

дискретных

элементах,

а качество этих контактов значительно выше, чем в
печатных

или

использование

навесных

схемах.

интегральных

В

схем

результате
позволило

существенно повысить надежность радиоэлектронной
аппаратуры. Следует отметить, что использование
группового

метода

позволило

существенно снизить

технологический разброс параметров интегральных
элементов, по сравнению с дискретными, поскольку эти
элементы

создавались на

единой

подложке

в

непосредственной близости друг от друга в рамках
единого технологического цикла. Это значительно
упростило построение различных схем.

Входящие

в

состав

интегральных

схем электрорадиоэлементы (резисторы, конденсаторы,
диоды,

транзисторы)

разделяются

на

интегральные компоненты и элементы. Различие между
ними состоит в том, что интегральные компоненты могут
быть конструктивно выделены как самостоятельные
изделия, а интегральные элементы не могут быть
выделены как самостоятельные изделия. Сложность
интегральных схем обычно оценивается степенью их
интеграции,

которая

определяется

коэффициентом K=lgN, где N – количество элементов и
компонентов

на

подложке

интегральной

схемы.

Значение K округляется до ближайшего целого числа.
Используется

также

упаковки интегральных

понятие плотности
схем,

которая

определяется количеством элементов и компонентов,
приходящихся на единицу площади подложки.

2

С момента появления самых первых интегральных
схем повышение

степени их интеграции

магистральным

стало

существенно уменьшить

габариты

схем



см.

ниже.

По функциональному

развития

назначению интегральные схемы также разделяются на

позволило

два класса: аналоговые интегральные схемы (АИС) и

направлением

микроэлектроники, поскольку

операциях, используемых для создания элементов этих

и

массу

цифровые

интегральные

схемы

(ЦИС).

различаются сигналами,

которые

надежность и снизить стоимость ее изготовления.

помощью

Подробнее

Необходимость

рассматриваются, соответственно, в разделах 2 и 3.

радиоэлектронной

неизбежно

аппаратуры,

повышения

повысить

степени

потребовала развития

ее

интеграции

этих

схем.

Они

преобразуются
АИС

и

с

ЦИС

технологии

производства интегральных схем. Колоссальные успехи
в

этом

направлении

позволили

реализовать

такие

устройства, которые невозможно было представить себе
еще тридцать лет назад.
По конструктивно-технологическому
выполнению интегральные
класса: гибридные

схемы

интегральные

полупроводниковые

делятся
схемы

интегральные

на
(ГИС)

схемы

два
и

(ПИС).

Различие между ними состоит в материалах, из которых
изготавливаются подложки, и технологических

3






Download l1



l1.pdf (PDF, 1.8 MB)


Download PDF







Share this file on social networks



     





Link to this page



Permanent link

Use the permanent link to the download page to share your document on Facebook, Twitter, LinkedIn, or directly with a contact by e-Mail, Messenger, Whatsapp, Line..




Short link

Use the short link to share your document on Twitter or by text message (SMS)




HTML Code

Copy the following HTML code to share your document on a Website or Blog




QR Code to this page


QR Code link to PDF file l1.pdf






This file has been shared publicly by a user of PDF Archive.
Document ID: 0000482179.
Report illicit content